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H+-ISFET的溫度特性及補償

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全部作者:許姍 童敏明 李雪花 楊禮現第1作者單位:中國礦業大學資訊與電氣工程學院論文摘要:本文透過研究氫離子敏場效應傳感器(H+-ISFET)的物理化學結構特性得到它的溫度特性,總結出它極易產生溫度漂移的特點。針對這個缺點,提出了5種抑制溫度漂移的方法,使得溫度補償後的H+-ISFET有了較好的溫度特性。關鍵詞:氫離子敏場效應傳感器,H+-ISFET,溫度特性,溫度補償 (瀏覽全文)發表日期:2007年07月09日同行評議:

該文透過分析氫離子敏場效應傳感器的特點,傳感器的溫度漂移,提出了幾種抑制溫度漂移的方法,具有1定的'參考意義。如有實驗數據的支援則更好1些。比如補充1些溫漂的實際改善情況的數據則更有說服力 

H+-ISFET的溫度特性及補償
綜合評價:修改稿:注:同行評議是由特聘的同行專家給出的評審意見,綜合評價是綜合專家對論文各要素的評議得出的數值,以1至5顆星顯示。

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