從PC100標準開始內存條上帶有SPD芯片，SPD芯片是內存條正面右側的一塊8管腳小芯片，裏面儲存着內存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等資訊。當開機時，支援SPD功能的主板BIOS就會讀取SPD中的資訊，按照讀取的值來設定內存的存取時間。我們可以藉助SiSoftSandra2001這類工具軟件來檢視SPD芯片中的資訊，例如軟件中顯示的SDRAMPC133U-333-542就表示被測內存的技術規範。
內存技術規範統一的標註格式，一般爲PCx-xxx-xxx，但是不同的內存規範，其格式也有所不同。
1、PC66/100SDRAM內存標註格式
(1)1.0---1.2版本
這類版本內存標註格式爲：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示標準工作頻率，用MHZ表示(如66MHZ、100MHZ、133MHZ等);b表示最小的CL(即CAS縱列存取等待時間)，用時鐘週期數表示，一般爲2或3;c表示最少的Trcd(RAS相對CAS的延時)，用時鐘週期數表示，一般爲2;d表示TRP(RAS的'預充電時間)，用時鐘週期數表示，一般爲2;e表示最大的tAC(相對於時鐘下沿的數據讀取時間)，一般爲6(ns)或6。5，越短越好;f表示SPD版本號，所有的PC100內存條上都有EEPROM，用來記錄此內存條的相關資訊，符合IntelPC100規範的爲1。2版本以上;g代表修訂版本;h代表模組類型;R代表DIMM已註冊，256MB以上的內存必須經過註冊。
(2)1.2b+版本
其格式爲：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示標準工作頻率，用MHZ表示;b表示最小的CL(即CAS縱列存取等待時間)，用時鐘週期數表示，一般爲2或3;c表示最少的Trcd(RAS相對CAS的延時)，用時鐘週期數表示;d表示TRP(RAS的預充電時間)，用時鐘週期數表示;ee代表相對於時鐘下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4nstAC;ff代表SPD版本，如12代表SPD版本爲1.2;g代表修訂版本，如2代表修訂版本爲1.2;h代表模組類型;R代表DIMM已註冊，256MB以上的內存必須經過註冊。
2、PC133SDRAM(版本爲2.0)內存標註格式
威盛和英特爾都提出了PC133SDRAM標準，威盛力推的PC133規範是PC133CAS=3，延用了PC100的大部分規範，例如168線的SDRAM、3.3V的工作電壓以及SPD;英特爾的PC133規範要嚴格一些，是PC133CAS=2，要求內存芯片至少7.5ns，在133MHz時最好能達到CAS=2。PC133SDRAM標註格式爲：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示標準工作頻率，單位MHZ;b代表模組類型(R代表DIMM已註冊，U代表DIMM不含緩衝區;c表示最小的CL(即CAS的延遲時間)，用時鐘週期數表示，一般爲2或3;d表示RAS相對CAS的延時，用時鐘週期數表示;e表示RAS預充電時間，用時鐘週期數表示;ff代表相對於時鐘下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如54代表5.4nstAC;g代表SPD版本，如2代表SPD版本爲2.0。
3、PC1600/2100DDRSDRAM(版本爲1.0)內存標註格式
其格式爲：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內存帶寬，單位爲MB/s;a*1/16=內存的標準工作頻率，例如2100代表內存帶寬爲2100MB/s，對應的標準工作頻率爲2100*1/16=133MHZ;b代表模組類型(R代表DIMM已註冊，U代表DIMM不含緩衝區;cc表示CAS延遲時間，用時鐘週期數表示，表達時不帶小數點，如25代表CL=2.5;d表示RAS相對CAS的延時，用時鐘週期數表示;e表示RAS預充電時間，用時鐘週期數表示;ff代表相對於時鐘下沿的數據讀取時間，表達時不帶小數點，如75代表7.5nstAC;g代表SPD版本，如0代表SPD版本爲1.0。
4、RDRAM內存標註格式
其格式爲：aMB/bcdPCe，例如256MB/16ECCPC800，其中a表示內存容量;b代表內存條上的內存顆粒數量;c代表內存支援ECC;d保留;e代表內存的數據傳輸率，e*1/2=內存的標準工作頻率，例如800代表內存的數據傳輸率爲800Mt/s，對應的標準工作頻率爲800*1/2=400MHZ。
5、各廠商內存芯片編號
內存打假的方法除了識別內存標註格式外，還可以利用刻在內存芯片上的編號。內存條上一般有多顆內存芯片，內存芯片因爲生產廠家的不同，其上的編號也有所不同。由於韓國HY和SEC佔據了世界內存產量的多半份額，它們產的內存芯片質量穩定，價格不高，另外市面上還流行LGS、Kingmax、金邦金條等內存，先來看看它們的內存芯片編號。
(1)HYUNDAI(現代)
現代的SDRAM內存相容性非常好，支援DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM芯片編號格式爲：
其中HY代表現代的產品;5a表示芯片類型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM);b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V);cde代表容量和重新載入速度(16=16Mbits、4KRef，64=64Mbits、8KRef，65=64Mbits、4KRef，128=128Mbits、8KRef，129=128Mbits、4KRef，256=256Mbits、16KRef，257=256Mbits、8KRef);fg代
表芯片輸出的數據位寬(40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位);h代表內存芯片內部由幾個Bank組成(1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關係);I代表接口(0=LVTTL[LowVoltageTTL]接口);j代表內核版本(可以爲空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新);k代表功耗(L=低功耗芯片，空白=普通芯片);lm代表封裝形式(JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-II，TD=13mmTSOP-II，TG=16mmTSOP-II);no代表速度(7=7ns[143MHz]，8=8ns[125MHz]，10p=10ns[PC-100CL2或3]，10s=10ns[PC-100CL3]，10=10ns[100MHz]，12=12ns[83MHz]，15=5ns[66MHz])。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400milTSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。
M內存(老版本
第1字段由HY組成，代表現代產品。
第2字段代表產品類型，57代表DRAM;5D代表DDRSDRAM。
第3字段代表電壓，V代表3.3V;U代表2.5V。
第4字段代表密度和重新載入，4代表4MB(1K重新載入);16代表16M(4K重新載入);64代表64M(8K重新載入);65代表64M(4K重新載入);128代表128M(8K重新載入);129代表128M(4K重新載入);257代表256MB(8K重新載入)。
第5字段代表數據帶寬，40代表4位;80代表8位;16代表16位;32代表32位。